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深圳市翼鑫电子
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产品分类
产品信息
BFR93A硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电*-发射*电压VCEO：12V
集电*-基*电压VCBO:15V
发射*-基*电压VEBO:2V
集电*直流电流IC:35mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:300mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23
功率特性：*率
*性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=15V,V(BR)EBO=2V
直流放大系数hFE: 40～250 @VCE=5V,IC=30mA
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:6.0GHz@ VCE=5V,IC=30mA
集电*允许电流IC：0.1（A）
集电**大允许耗散功率PT：0.3（W）
功率增益GUM：13dB@IC=30mA,VCE=5V,f=1GHz
噪声系数NF：1.9dB@IC=30mA,VCE=5V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电*-发射*电压VCEO：12V
集电*-基*电压VCBO:15V
发射*-基*电压VEBO:2V
集电*直流电流IC:35mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:300mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23
功率特性：*率
*性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=15V,V(BR)EBO=2V
直流放大系数hFE: 40～250 @VCE=5V,IC=30mA
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:6.0GHz@ VCE=5V,IC=30mA
集电*允许电流IC：0.1（A）
集电**大允许耗散功率PT：0.3（W）
功率增益GUM：13dB@IC=30mA,VCE=5V,f=1GHz
噪声系数NF：1.9dB@IC=30mA,VCE=5V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。